در طی سالیان اخیر سلول‌های خورشیدی به عنوان منابع انرژی پاک و تجدیدپذیر از اهمیت ویژ‌های برخوردار شده اند. در این میان سلول‌های خورشیدی مبتنی بر GaAs (گالیوم-آرسناید) به دلیل بازدهی بالاتر و مقاومت بیشتر در مقابل تابش‌های کیهانی و گرما اهمیت بالایی دارند. برای افزایش راندمان سلول‌های خورشیدی مبتنی بر گالیوم-آرسناید استفاده از چاه‌های کوانتومی را به عنوان یک پارامتر کلیدی و تاثیرگذار مورد مطالعه قرار میدهند. استفاده از ساختار چاه کوانتومی در ناحیه ذاتی سلول‌های خورشیدی سبب جذب طول موج‌های بالاتر و در نتیجه جریان دهی نوری بیشتری نسبت به سلول‌های خورشیدی تک گافی میشود. هر چه چاه‌های کوانتومی عمیقتر باشند، تراز‌های انرژی و تعداد الکترون‌های قرار گرفته روی آن‌ها بیشتر شده، در نتیجه جریان دهی افزاره افزایش می‌یابد. بنابراین با افزایش ناخالصی لایه BSF و تغییر ضخامت‌ها به بازده ۳۲/۹۷ % برای سلول خورشیدی سه پیوندی InGaP/GaAs/Ge رسیدیم و همچنین با استفاده از ۱۱ چاه کوانتومی InAs با ضخامت ۵ نانومتر و ۱۰ سد کوانتومی GaAs با ضخامت ۵ نانومتر به بازده ۳۴/۸۹% دست یافتیم.
این مقاله توسط غزاله فیاضی و جواد کرمدل از گروه الکترونیک دانشگاه آزاد اسلامی واحد تهران جنوب منتشر شده است.