با توجه به اینکه سیستمهای فتوولتائیک در محیط باز یا پشت بامها نصب میشوند. یکی از عوامل مهم که میتواند منجر به اخلال در عملکرد یا تخریب سیستمهای فتوولتائیک و تجهیزات آن شود، اضافه ولتاژهای گذرای ناشی از صاعقه است؛ لذا مدل سازی و مطالعه دقیق این تنشها جهت حفاظت مؤثر از سیستمهای فتوولتائیک ضروری به نظر میرسد.
در این مقاله یک مدل بهبودیافته برای مدل سازی پنلهای خورشیدی در حالتهای گذرای ناشی از صاعقه معرفی شده. که در آن علاوه بر ساختار مقاومتی مورد استفاده در مدلهای مرسوم، تاثیر خازنهای پراکندگی نیز در نظر گرفته شده است. نتایج به دست آمده از تست واقعی پنل، دقت مدل پیشنهادی در مقایسه با مدلهای مقاومتی مرسوم را نشان میدهد. در ادامه با شبیه سازی مدل وابسته به فرکانس ارائه شده برای ساختار کلی یک سیستم فتوولتائیک. اضافه ولتاژهای ناشی از برخورد مستقیم صاعقه به آن در محیط EMTP-RV شبیه سازی شده و نتایج مورد تحلیل قرارگرفته است.
در اینجا فایل کامل مقاله برای دانلود قرار داده شده است.
